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      Bruker 橢偏儀 FilmTek 2000M TSV

      簡(jiǎn)要描述:Bruker 橢偏儀 FilmTek 2000M TSV
      FilmTek™ 2000M TSV計(jì)量系統(tǒng)為先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝應(yīng)用提供了速度和精度組合。該系統(tǒng)為各種封裝工藝和相關(guān)結(jié)構(gòu)的高通量測(cè)量提供了測(cè)量性能和精度,包括表征抗蝕劑厚度、硅通孔(TSV)、銅柱、凸塊和再分布層(RDL)。

      • 所在城市:上海市
      • 廠商性質(zhì):代理商
      • 更新日期:2024-12-02
      • 訪  問(wèn)  量:2938
      詳細(xì)介紹
      品牌Bruker/布魯克產(chǎn)地類別進(jìn)口
      膜厚測(cè)量準(zhǔn)確度<0.2%nm測(cè)量速度2min
      應(yīng)用領(lǐng)域石油,電子/電池,綜合

      Bruker 橢偏儀 FilmTek 2000M TSV

      ——用于半導(dǎo)體封裝應(yīng)用中高通量測(cè)量的先進(jìn)計(jì)量系統(tǒng)

      Bruker 橢偏儀 FilmTek 2000M TSV


      FilmTek™ 2000M TSV計(jì)量系統(tǒng)為先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝應(yīng)用提供了速度和精度組合。該系統(tǒng)為各種封裝工藝和相關(guān)結(jié)構(gòu)的高通量測(cè)量提供了測(cè)量性能和精度,包括表征抗蝕劑厚度、硅通孔(TSV)、銅柱、凸塊和再分布層(RDL)。


      高產(chǎn)量TSV制造需要快速、高精度測(cè)量TSV蝕刻深度和深度均勻性。FilmTek 2000M TSV系統(tǒng)采用了我們光學(xué)方法,基于正入射反射法,使用戶能夠高效、準(zhǔn)確地測(cè)量高深寬比TSV結(jié)構(gòu)的蝕刻深度。該系統(tǒng)可以容易地確定直徑大于1µm的通孔結(jié)構(gòu)的蝕刻深度,最大蝕刻深度可達(dá)500µm。


      此外,我們低功率物鏡光學(xué)設(shè)計(jì)使FilmTek 2000M TSV能夠?qū)崿F(xiàn)非常小的光點(diǎn)尺寸-與目標(biāo)通孔結(jié)構(gòu)的直徑相同數(shù)量級(jí)-具有幾乎準(zhǔn)直的測(cè)量光束。例如,該系統(tǒng)可以配置為,10倍物鏡在y和x維度上的測(cè)量點(diǎn)尺寸分別為5µm乘10µm。這種光學(xué)設(shè)計(jì)限制了收集光的角光譜,并最大限度地提高了高縱橫比TSV或溝槽結(jié)構(gòu)的光譜反射的相干性。因此,與使用高功率物鏡的計(jì)量?jī)x器相比,該系統(tǒng)可以提供更清晰的數(shù)據(jù)。


      其他功能包括測(cè)量微泵、溝槽和各種其他結(jié)構(gòu)和應(yīng)用的高度或深度、臨界尺寸和膜厚度。


      測(cè)量能力

      允許確定:
      ·直徑大于1µm的通孔結(jié)構(gòu)的TSV蝕刻深度,最大蝕刻深度為500µm。
      ·高度或深度
      ·臨界尺寸
      ·膜厚


      系統(tǒng)組件


      標(biāo)準(zhǔn):
      ·高縱橫比TSV結(jié)構(gòu)的測(cè)量
      ·測(cè)量敢達(dá)500µm的TSV蝕刻深度
      ·測(cè)量直徑小于1µm的TSV結(jié)構(gòu)
      ·FilmTek技術(shù)
      ·快速測(cè)量時(shí)間(每點(diǎn)約1秒)
      ·單一工具中的TSV蝕刻深度、凸塊高度、臨界尺寸和膜厚計(jì)量
      ·盒式到盒式晶片處理
      ·Brooks或SCI自動(dòng)化
      ·300mm,F(xiàn)OUP和SMIF兼容
      ·SECS/GEM


      典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:


      ·TSV計(jì)量
      ·先進(jìn)半導(dǎo)體封裝
      ·具有靈活的軟件,可以輕松修改以滿足研發(fā)和生產(chǎn)環(huán)境中的客戶需求。

      Bruker 橢偏儀 FilmTek 2000M TSV技術(shù)規(guī)格

      測(cè)量函數(shù)TSV蝕刻深度、凸塊高度、臨界尺寸和膜厚度    
      晶片處理Brooks or Bruker
      基板尺寸200 or 300 mm
      模式識(shí)別Cognex
      CD精度(1σ)<0.2%
      蝕刻深度精度(1σ)<0.005%
      膜厚范圍5 nm to 350 µm (5 nm to 150 µm is standard)
      膜厚精度(1σ)<0.005%
      光源鹵素?zé)?/span>
      探測(cè)器類型2048 pixel Sony linear CCD array
      ComputerMulti-core processor with Windows™ 10 Operating System
      晶圓吞吐量>60 WPH

      FilmTek 2000M TSV和SEM對(duì)通孔蝕刻深度的比較

      通孔直徑   (µm)      

                 蝕刻深度  (µm)      

      掃描電鏡

      蝕刻深度 (μm)

                  FilmTek 2000M TSV            

      544.544.3
      1055.555.5
      1562.061.8
      2066.566.8



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